Представители Sandisk провели мероприятие в Калифорнии, США, где объявили о создании рабочей группы вместе с работягами из SK hynix по стандартизации памяти следующего поколения High Bandwidth Flash (HBF). Она должна стать чем-то средним между дорогостоящей HBM и NAND, совмещая в себе лучшее из двух миров.
Новый тип памяти сможет найти применение в задачах логического вывода искусственного интеллекта, предлагая как большой объём на стек, достигающий 512 Гбайт, так и высокую пропускную способность: конкретно для первого поколения заявлено значение 1.6 Тбайт/с в случае чтения, а в будущем можно ожидать 3.2 Тбайт/с вместе с ростом объёма до 1.5 Тбайт. Эта красота будет сопровождаться снижением энергопотребления и тепловыделения по сравнению с HBM.
«Технология HBF – это новый уровень памяти, промежуточный между сверхбыстрой памятью HBM и NAND. Технология HBF может восполнить разрыв между высокой производительностью HBM и высокой ёмкостью SSD и обеспечить как увеличение ёмкости, так и энергоэффективность, необходимые для логического вывода данных с помощью искусственного интеллекта.
В то время как HBM обеспечивает пропускную способность высокого уровня, технология HBF служит вспомогательным уровнем в архитектуре. В частности, ожидается, что технология HBF снизит общую стоимость владения при одновременном повышении масштабируемости систем искусственного интеллекта».